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DMN2990UFA
V TH D = 1mA
1.2
1
0.8
V TH (V) @ I D = 250μA
(V) @ I
1
0.8
0.6
V SD (V) @ V GS = 0V, T A = 25°C
0.6
0.4
0.4
0.2
0.2
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2
T J , JUNCTION TEMPERATURE( ? C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
50
f = 1MHz
40
1000
V SD , SOURCE- DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diodes Forward Voltage vs. Current
I DSS (nA) Ave @ 150°C
30
Ciss Ave (pF)
100
I DSS (nA) Ave @ 125°C
20
10
I DSS (nA) Ave @ 85°C
10
Coss Ave (pF)
Crss Ave (pF)
I DSS (nA) Ave @ 25°C
0
0
5
10
15
20
1
2
4
6 8 10 12 14 16 18 20
8
6
4
2
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Junction Capacitance
V DS = 10V
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8
1
Q G - (nC)
Fig. 11 Gate Charge Characteristics
DMN2990UFA
Document number: DS35765 Rev. 3 - 2
4 of 6
www.diodes.com
June 2013
? Diodes Incorporated
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